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認(rèn)證首頁 >> 供求信息 >> 檢測(cè)供應(yīng) >> 電磁兼容測(cè)試 >> 電磁兼容抗擾度試驗(yàn)GB/T17626標(biāo)準(zhǔn)系列包含哪些檢測(cè)項(xiàng)目

電磁兼容抗擾度試驗(yàn)GB/T17626標(biāo)準(zhǔn)系列包含哪些檢測(cè)項(xiàng)目

【檢測(cè)內(nèi)容介紹】

EMC指什么
EMC電磁兼容性是指電磁不干擾其他設(shè)備、即使受到其他設(shè)備干擾也能保持原本的性能和功能,EMC包含兩大部分,一個(gè)是電磁兼容抗擾度EMS,一個(gè)是電磁兼容發(fā)射EMI;
 EMI電磁干擾由于IC工作產(chǎn)生噪聲(EMI),給周邊IC和系統(tǒng)帶來干擾或有干擾性的電磁波,需要設(shè)計(jì)不產(chǎn)生EMI的電路。
EMS電磁敏感性即使受到外界的干擾也不會(huì)造成干擾的能力與耐受性,產(chǎn)品的抗電磁干擾能力需要比較強(qiáng)大。
傳導(dǎo)噪聲:由線束和PCB板布線傳導(dǎo)的噪聲;
輻射噪聲:釋放輻射到空氣中的噪聲。
差模噪聲是有用的信號(hào),共模噪聲是無用的信號(hào)。
GB/T17626《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》目前包含以下內(nèi)容:
 GB/T 17626.1-2006  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 抗擾度試驗(yàn)總論;
GB/T 17626.2-2018  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 靜電放電抗干擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.3-2016  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻電磁場輻射抗干擾;
GB/T 17626.4-2018  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.5-2008  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.6-2017  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度;
GB/T 17626.7-2008  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、諧間波的測(cè)量和測(cè)量儀器導(dǎo)則;
GB/T 17626.8-2006  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻磁場抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.9-2011  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 脈沖磁場抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.10-2017  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 阻尼振蕩磁場抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.11-2008  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.12-2013  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 振蕩波抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.13-2006  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的的低頻抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.14-2005  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.15-2011  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 閃爍儀 功能和設(shè)計(jì)規(guī)范;
 GB/T 17626.16-2007  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 0Hz-150kHZ共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.17-2005  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.18-2016  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn);
 GB/T 17626.20-2014  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 橫電磁波(TEM)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.21-2014  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 混波室試驗(yàn)方法;
 GB/T 17626.22-2017  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度試驗(yàn);
 GB/T 17626.24-2012  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法;
GB/T 17626.27-2006  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.28-2006  電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn);
GB/T 17626.29-2006  電磁兼容 直流電源輸入端口電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn);
 GB/T 17626.30-2012  電磁兼容  試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 電能質(zhì)量測(cè)量方法;
 GB/T 17626.34-2012  電磁兼容  試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 主電源每相電流大于16A的設(shè)備的電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn);





更新時(shí)間:2026/2/28 15:44:23



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